bios里面各参数的中英文对照

来源:攒机帮 2022-07-11 00:10 阅读:41

Above1MBMemoryTest:设置开机自查时是不是检验1M以上内存。该选项早已在新的BIOS中淘汰。因为内存价钱狂跌,电脑上用户安装内存容积骤然增加,开机时的大空间内存自查时间过长,将来,即使一遍的内存检验很有可能也会发生容许/严禁开关。

AutoConfiguration:设置为容许时,BIOS依照最好状态设置。BIOS可以自动设置内存按时,因而会严禁一些对内存设置的改动,提议选择容许方式。

MemoryTestTickSound:是不是传出内存自查的滴嗒声。假如您闲它烦,可以关闭他们。

MemoryParityErrorCheck:设置是不是要设置内存奇偶校验。多在30线内存条应用时期,早已淘汰。但把非奇偶校验内存强行开展奇偶校验设置会使电脑上没法开机。

CacheMemoryController:是不是应用快速缓存。没有在时兴的AwardBIOS中应用。

ShadowRAMOption:设置系统BIOS或显示卡BIOS是不是投射到基本内存中。可以提高速度,但也有可能导致死机

InternalCacheMemory:是不是应用CPU内部结构缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

ExternalCacheMemory:是不是应用CPU外界缓存(电脑主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具备二级缓存的CPU的发生,使电脑主板上的二级缓存退居二线成三级缓存。

ConcurrentRefresh:直接翻译是与此同时产生的更新。设置CPU在对其他I/O操作时对内存与此同时更新,可以提高系统性能。

DRAMReadWaitState:设置CPU从内存读取数据时的等候指令周期。在内存比CPU慢时可以设置大量的等候。

DRAMWriteWaitState:设置CPU向内存写数据信息时的等候指令周期。在内存比CPU慢时可以设置大量的等候。

SlowRefresh:对质量好的内存,保持数据的时间较为长,可以设置更长的时间周期时间,进而提高系统性能。

ShadowCachecable:把投射到基本内存的BIOSROM增加快速缓存,使性能更进一步。

PageMode:使内存工作中于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作效率更快。由于有可能会超出内存RAS周期时间,因而选用计数来监控RAS周期时间,一旦超出RAS周期时间,则将周期自动校准为0。

MemoryRelocation:内存重新精准定位。将要384的上台内存(UpperMemoryBlock)数据信息存贮到1MB以上的扩展内存中。

MemoryHole:有些人称之为内存孔眼。把内存地址15MB-16MB的区域交给一些独特的ISA扩展卡应用,可以加快此卡工作中速率或防止冲突。一般被设置成严禁,除非是ISA扩展卡有专业的表明。

DRMATimingSetting:快页内存或EDO内存速率设置,通常是60ns或70ns选择,对10ns或更快的SDRAM内存无效。

FastMAtoRASDelay:设置内存地址(MemoryAddress)到内存行地址开启数据信号(RAS)之间的延迟时间时间。

DRAMWriteBrustTiming:CPU把数据信息写如快速缓存后,再写如内存的延迟时间时间。

FastRASToCASDelay:行地址开启数据信号到列地址开启数据信号之间的延迟时间时间。通常是RAS#降低到CAS#下降之间的时间。

DRAMLead-OffTiming:CPU读/写内存前的时间。

DRAMSpeculativeRead:设置成容许时,读内存的时间比一切正常时间提早一个时间周期时间,可以提高系统性能。

DRAMDataIntegrityMode:选择内存校检方式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion:设置内存的行地址更新时间周期时间,对质量好的内存可以延迟时间更新,进而提高系统性能。

RASRechargePeriod:内存行地址数据信号事先电池充电所必须的时间。

FastEDOPathSelect:设置选择对EDO内存读/写的迅速方式,可以提高系统性能。

SDRAMRASLatency:设置SDRAM内存的行地址开启到列地址触发的时间延迟时间。

SDRAMRASTiming:设置系统对SDRAM内存的行地址开启时间,也即更新时间。

PeerConcurrency:为提高系统并行处理,使CPU对快速缓存或内存或PCI机器设备,或PCI的主控芯片数据信号对PCI外部设备这些操作与此同时开展。系统智能化越高,同CPU并行处理的操作越多,性能提高越多。